Estructura, diagrama de fases térmico y brecha de energía de las aleaciones semiconductoras magnéticas diluidas zn1-xmnxga2se4 para 0<x<0.10.
Palabras clave:
Aleación, semiconductores magnéticos diluidos, diagrama de fases, brecha de energía.Resumen
Se prepararon lingotes policristalinos de las aleaciones semiconductoras magnéticas diluidas Zn0.99Mn0.01Ga2Se4, Zn0.93Mn0.07Ga2Se4 y Zn0.91Mn0.09Ga2Se4 mediante el método de fusión directa y recocido térmico. Las líneas de difracción fueron indexadas y se calcularon los parámetros de celda. Los índices Miller son consistentes con una estructura tetragonal similar a la estructura mostrada por el compuesto ZnGa2Se4. El análisis térmico diferencial mostró transiciones de fase las cuales están en acuerdo con las reportadas en el diagrama de fase del sistema Zn1-xMnxGa2Se4. Se obtuvieron los espectros de transmisión de las aleaciones y se calcularon los coeficientes de absorción. El análisis mostró que los materiales son a brecha de energía directa con valores cercanos a los reportados en la literatura para el compuesto ZnGa2Se4 (x=0) y para la aleación Zn0.90Mn0.10Ga2Se4 (x=0.10).
Citas
A. Millar, A. Mackinnnnon y D. Weaire. Sol. Stat. Phys. 36, 119, 1981.
J. K. Furdyna, Diluted Magnetic Semiconductors, Vol. 25, Acad. Press, New York 1989. Cap.1.
J. K. Furdyna, J. Appl. Phys. 64, R29, 1988.
Y. Shapira, J. Appl. Phys. 67, 5090, 1990.
J. K. Furdyna, J. Appl. Phys. 53, 7637, 1982.
M. Averous: Semimagnetic Semiconductors and Diluted Magnetic Semiconductors. M. Averous y M. Balkanski (Eds.), Plenum, New York 1991.
C.-j. Chen, M. Qu, W. Hu, X. Zhang, F. Lin, H.-b. Hu, K.-j. Ma, W. Giriat, J. Appl. Phys. 69, 5736, 1993.
M. Morocoima. Diagrama de Fases de Aleaciones Semiconductoras Semimagnéticas. Trabajo Especial de Grado. Departamento de Física. Facultad de Ciencias. Universidad de los Andes. Mérida, Venezuela. 1993.
J. Campo. Magnetismo de Sistemas Desordenados: Diluciones Antiferromagnétic de Baja Anisotropía y Semiconductores Semimagnéticos. Tesis Doctoral, Universidad de Zaragoza, España, 1995.
A. Millán y M. C. Morón. J. Appl. Phys. 89, 3, 2001.
J. K. Furdyna. J. Appl. Phys. 64, R29, 1988.
T. Hanada, F. Izumi, Y. Nakamura, O. Nittono y Q. Huang. J. Phys. B 241- 243, 373, 1998.
L. Garbato, F. Ledda y A. Rucci. Prog. Crystal 15, 1-41, 1987
A. N. Georgobriani, S. I. Radautsan y M. Tiginyanu. Soviet Phys. Semicond. 19(2), 121-132, 1985.
L. Gastaldi, M. G. Simeone, S. Viticoli, Solid State Commun. 55(1985), 605.
J. C. Woolley, R. Brun del Re, Journal of Alloys and Compounds 261(1997), 150.
I. Pankove, Optical Process in Semiconductors, Dover, 1971
L. Meléndez. Crecimiento, propiedades estructurales, ópticas y eléctricas del compuesto AgIn5S8. Trabajo Especial de Grado. Departamento de Física. Facultad Experimental de Ciencias. Universidad del Zulia. Maracaibo, Venezuela. 2005.
Descargas
Publicado
Cómo citar
Número
Sección
Licencia
Derechos de autor 2012 Rubén Cadenas , Jaime Castro , Gerson Delgado

Esta obra está bajo una licencia internacional Creative Commons Atribución 4.0.